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Modification ou analyse des matériaux par faisceaux ionique

Les accélérateur tandem (1.7 et 6 MV) sont utilisés pour irradier des échantillon de matériaux (semiconducteur, isolants, magnétique, optique ..) avec le but de modifier ou étudier leurs propriétés. La méthode de modification, appelée implantation ionique, peut servir pour doper le matériaux avec des impurétés, pour crééer des défauts, ou même pour rendre le matéraiux amorphe. L'analyse des matériaux se fait soit à l'accélérateur, souvent par RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) ou canalisation, soit ailleurs sur le campus dans un des laboratoires du GCM. Les détails du project seront spécifiés en debut de chaque session.

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